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Chilas entwickelt und vermarktet weit abstimmbare, ultra-schmalbandige Laser mit hybrid integrierter external cavity. Die Laser können nicht nur über das gesamte C-Band abgestimmt werden und decken einen Wellenlängenbereich von mehr als 100 nm ab, sondern haben dabei auch eine beeindruckend niedrige Linienbreite (<5 kHz). Dank ihrer hohen Leistungsfähigkeit und dabei geringen SWaP (Size, Weight and Power) finden die Laser Anwendung für Kunden weltweit in Bereichen wie kohärenter optischer Kommunikation, Fasersensorik, LiDAR, Quanten-Schlüsselaustausch, Mikrowellen-Photonik und mehr.
Die Laser von Chilas kombinieren die Vorteile von III-V-Halbleiter- und Siliziumnitrid-Technologien (Si₃N₄) und bieten entscheidende Vorteile gegenüber DFB-Lasern. Die wichtigsten Merkmale sind ihre ultra-schmalbandige Linienbreite, die hohe Abstimmbarkeit sowie das kompakte Design.
Die Laser von Chilas basieren auf hybrid-integrierter Lasertechnologie. Der Laser besteht aus einem reflektierenden InP-Halbleiterlaserverstärker (RSOA) als Verstärkungsmedium und einem optischen Si₃N₄-Schaltkreis als externem Resonator. Der RSOA ist kantengekoppelt mit dem externen Resonator verbunden. Zwei gekoppelte Ringresonatoren (MRRs) mit leicht unterschiedlichen freien Spektralbereichen (FSR) im Resonator gewährleisten dank des Vernier-Effekts einen stabilen Ein-Moden-Betrieb. Durch Heizelemente können die Ringresonatoren über eine 2π-Phasenverschiebung abgestimmt werden, wodurch der Laser jede Wellenlänge innerhalb der Verstärkungsbandbreite adressieren kann. Aufgrund der geringen Resonatorverluste und der langen optischen Resonatorlänge erreicht der Laser von Chilas eine hohe Ausgangsleistung (> 20 mW) und eine ultra-schmalbandige Linienbreite (< 1 kHz).
Laser, photonics, Lasertechnologie, Laserapplications, semiconductor, Diodes, photonic integrated circuits, laser technolgy
