Neues Center der Halbleiter-Forschung in Dresden eröffnet

Ein Leuchtturm der Halbleiterforschung mit internationaler Reichweite entsteht in Dresden. Mit Etablierung des Centers for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony bündeln das Fraunhofer IPMS und das Fraunhofer IZM-ASSID ihre Kompetenzen. Sie bieten künftig die komplette Wertschöpfungskette in der 300 mm Mikroelektronik und damit die Voraussetzung für Hightech-Forschung für Zukunftstechnologien.

Bundesweit einzigartige Forschungseinrichtungen auf dem Gebiet der Mikroelektronik 

Mit dem Fraunhofer IZM-ASSID und Fraunhofer IPMS, Bereich Center Nanoelectronic Technologies CNT, sind zwei bundesweit einzigartige Forschungseinrichtungen auf dem Gebiet der Mikroelektronik in Sachsen angesiedelt. Es sind heute die beiden einzigen deutschen Forschungszentren für angewandte Mikroelektronikforschung, die auf Basis von 300 mm Wafer-Industriestandard-Equipment forschen.

Mit der Bündelung der Kompetenzen und Gründung des Centers for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony entstehen hervorragende Perspektiven, Halbleiter-Unternehmen und Systemanwender sowie Material- und Anlagenhersteller weltweit anzuziehen und an Silicon Saxony zu binden. Für Industrie- und Forschungsaufträge sind neben hervorragendem Personal und Know-how eine Ausstattung mit einem modernen Geräte- und Anlagenpark entscheidend.

Mit einem Investitionsvolumen von etwa 140 Mio. € in Reinraum-Anlagen ist das Fraunhofer IPMS in Deutschland einmalig im Bereich der angewandten Forschung auf dem modernen 300 mm Wafer-Industriestandard im Frontend der CMOS-Herstellung positioniert. Das Fraunhofer IZM-ASSID ergänzt diese Expertise mit innovativen Packaging- und Systemintegrations-Technologien. Geleitet wird das Center künftig von Dr. Wenke Weinreich, Bereichsleiterin am CNT und stellvertretende Institutsleiterin des Fraunhofer IPMS, sowie Dr. Manuela Junghähnel, Standortleiterin am IZM-ASSID.